这是用于编程时检查写入是否正确的读出模式。在类型较旧的EPROM中，是通过单一的长脉冲进行写人操作的，但由于操作时间过长，所以现在的EPROM都采用新的方法，即给予短脉冲进行编程，读出的数据如果与写人的数据一致，则进行下一地址的数据写入。
　　编程中该数据读出的操作称为编程验证。使PGM无效（高电平），只要OE有效，就可以进行编程验证操作。
将地址总线（A0～A16）设置为希望访问的地址，当CE＝OE＝低电平时，DQ中出现数据。
　　现在，让我们来讨论AC特性。
　　AC特性对时序进行了规定。图显示了Am27C0l0读操作时的波形。具体的时序如表所示。在“速度等级”一栏中虽然有许多内容，但这表示即使是相同的器件，也将根据tACC时间进行区分。器件中标示速度等级的“—45”及“－90”等的数值是与器件型号及批号等一同被打印上去的。
　　这并不是根据速度等级的不同而进行不同的设计，即使是以完全相同的设计进行制造，也将根据试验结果和出货计划进行等级分类。例如，“－ 90”器件的tACC最大是90ns，它不能归类到“－70”的器件中。也就是说，tACC的实际测量值如果不是大于70ns、低于90ns之间的值，那么根据情况，可能被归类到“－45”及“—70”等的等级中。
　　1.  tACC：地址访问时间（Address Access Time）
　　在维持CE＝DE＝“L”（低电平）的状态下，如果改变地址总线的状态，则一定时间后该地址的数据将显现于DQ端。从地址确定后到数据被实际确定之间的时间就是tACC。在tACC时间形成之前，不能确保DQ端出现数据。
　　2.  tCE：CE访问时间
　　在地址确定、OE仍然维持“L”低电平的状态下，如果CE有效（为“L”），则一定时间之后将出现指定地址的数据。从CE有效到确保数据已确定这一段时间是tCE。Am27C010的tACC和tCE的时间是相同的。
　　3.  tOE
　　在地址确定、CE维持“L”低电平的状态下，从OE有效到数据被确定的时间就是tOE。观察存储器内部，一旦地址确定、CE有效,则向存储器单元的访问就全部完成，数据输出到EPROM的输出缓冲器前。
　　在此，只要OE有效，输出缓冲器就输出数据。为此，比较tACC和tCE，tOE会更短。
　　tACC、tCE和tOE无论哪个都不能单独确定大小，必须在整体中去适应速度最慢的那个时间值。例如，在利用了Am27C0l0 Qn的系统中，地址确定后，在5ns后CE有效，再5ns后OE有效。从表中可看出，tACC＝tCE＝90ns，tOE＝40ns。
　　如果以地址被确定那一时刻作为起点，则：
　　根据tACC的访问时间：90ns
　　根据tCE的访问时间：5ns＋90ns＝95ns
　　根据tOE的访问时间：5ns＋5ns＋40ns＝50ns
 　　因而，访问时间的大小取决于tACC、tCE和tOE中最长的tCE，也就是说地址被指定后数据将在95ns后被确定。
　　4.  tDF
　　CE及OE如果无效，则DQ引脚处于高阻抗状态。但这也不能说是瞬间，还是需要一些时间的，该时间就是tDF。在tDF以内的时间里，如果其他的器件驱动了数据总线，则将会与EPROM的输出发生冲突。因此，在进行硬件设计时必须注意这一点。
　　5.  tOH
　　提供给EPROM的地址发生变化，或者即使CE和OE无效，瞬间数据也不会消失，而是在非常短的时间内，维持输出的原始状态。规定的这个最小时间就是tOH。
 电源电压以及输人输出电压等是由DC Characteristic（直流特性）规定的。Am27C010的DC规定如表所示。该表中经常出现的VOH等表示方法基本上是这样规定的：开头第1个字母V表示额定电压，I表示额定电流；第2个字母的O表示输出，I表示输人，L表示漏电流或者负载电流；第3个字母的H表示高电平时的规定，L表示低电平时的规定。
1.VOH/VOL这是对输出电压的规定。EPROM数据输出缓冲器的输出电压如果是高电平，则在接近电源电压（VCC）之前无条件输出；如果是低电平，则输出电压为零则是其理想输出。但实际上，器件内部由于存在着某种电阻，输出端电流越大，高电平时的电压输出越低；相反，低电平时的电压输出越高。测定条件中所表示的电流通过正负号表示电流的方向：负号表示电流由EPROM流向外部的方向，正号表示外部流入EPROM的方向。
2.VIH/VIL这是对输人端的电压规定。规定输人多少伏以上的电压必须判断为高电平,多少伏以下的电压必须判断为低电平。当输入电压值为VIL和VIH之间的电压时，由于各种元器件所存在的误差，因而不能够判断为何种电平。Am27C010的VIH和VIL是俗称“TTL电平”的一般值，VIH为2.0V以上的值，VIL为0.8V以下的值。
3. ILI／ILOILI是对输人负载电流的规定。由于普通数字IC的基本操作是采用电压的“H（高电平）”、“L（低电平）”的二进制方法，所以理想的情况是如果信号的状态稳定，电流将为零。但现实情况并不是这样的，而是有某种电流流向输入端，该电流就是ILI，如图（a）所示。另一方面，ILO是输出漏电流。输出端为高阻抗，也就是输出开关处于断开状态，理想的情况是无论输出与GND还是与VCC连接都完全没有电流。然而，因为开关元器件的阻抗不是无限大，所以实际上还是有某种电流存在。这就是要规定ILO的原因。
即使Am27C010的ILI和ILO值在最大的时候   也不过是1μA和5μA这样小的数值，所以，只要不是大量的器件并联，基本上是不会出现问题的。
4. ICC1这是一般操作时的损耗电流。因为数字IC特别是CMOS结构的器件根据操作频率，电流会有较大的变化，所以在此测定条件中标明了操作频率。另外，当输出缓冲器连接有负荷时，电流的流向为VCC端→I/O缓冲器→负载，所以感觉上损耗电流变大。为了避免这种影响，在ICC1的测定条件中，将CE置于低电平，使器件处于使能状态；而将OE置为高电平，使输出缓冲器处于禁止状态。在实际的使用条件下，曲于ICC1值中加上了由缓冲器流向负载的电流，因而需要注意。另外，由于对于低损耗电流的需求比较多，因此在很多的存储器IC中进行适应ICC1值的分类。Am27C010也不例外，最大损耗电流为30mA的与最大损耗电流为60mA的两种元器件被整合。与其说是制作了不同的产品，不如说是同一产品根据实际测定值或者根据生产计划而改变了用途。
5. ICC2，ICC3这是对待机电流的规定。CE的电压如果超过VIH，则EPROM变为禁止，处于损耗电流较小的待机状态。但GE电压如果增加到VCC±0.3V左右，则损耗电流将被控制得更小。Am27C010通常待机状态（TTL待机）时的电流为1mA。如果CE的电压处于更高的电压状态（CMOS待机状态），则此时的待机电流为100μA，降低了十分之一。
6. IPP1这是编程时流向VPP端的电流值。VPP电压虽然较高，但由于编程时存在存储于浮置栅的电流，因此与100μA相比，该电流值相当小。