直流分析：

此时基极偏置电压由100K和22K电阻分压得到，约为2.6V。VB=R14/(R14+R16)*VCC

VE=VB-0.6V

IE=VE/Re=VE/R27=(VB-0.6)/R27

Vc=Vcc-Ic*Rc=VCC-Ic-R12;

这里由于Hfe比较大 Ic=IB+IE=IB(1+Hfe)             IE=Hfe * IB 可近似认为IB~~IC

交流分析：

在 Δie=vi/Re

Δvc=Δic*Rc

可认为集电极电流等于发射极电流，则Δic=Δie,,所以Δvc=Δie*Rc=vi/Re*Rc

vo=Δvc, Av=vo/vi=Rc/Re;

放大倍数与晶体管的直流放大系数hFE无关，由Rc和Re的比值决定的（这里认为基极电流为0，严格说来与hFE是有关系的）。

输入和输出端各有一个10uF的耦合电容，去降直流成分，电源端还有去耦电容（亦称旁路电路）去除电源纹波。为了输出5Vp-p电压，电源电压必须要5V以上。其次为了使集电极电流流动，Re上最低要加1-2V的电压，因此电源电压采用15V。

工作点：晶体管的性能特别是频率特性随着发射极电流（或集电极电流）变化产生很大变化。在频率特性与发射极电流的曲线中可以看出，可以找到最好的频率特性（即Ft的最高点）对就的Ie值。这里取Ie为1mA,，对应的特征频率为150左右。

确定RC与RE,前面确定了5倍的放大系数，RE的压降为2V,Ic=1mA.因此Re=Ve/Ie=2K,Rc=Re*Av=10K,.

可见输出在正0.6V左右出现了截止情况，大于为0.67V的输出被削峰。而且负的最大输出为2.1V放大倍数没有达到预想的5倍。

这是为什么么呢？

下面随意改动几个数据，将VCC串联电阻减小到10K的输出:

削峰现象消失，此时输出最大值为2.25，基本达到预期目标。

把R19减小为0时，情况又有好转。